Vytlačiť stránku
RJH60F0DPQ-A0#T0
IGBT, 50 A, 1.7 V, 201.6 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už nie je na sklade
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaRENESAS
Výrobcovo č. položkyRJH60F0DPQ-A0#T0
Objednávací kód2135153
Karta technických údajov
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation201.6W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Prehľad produktu
The RJH60F0DPQ-A0#T0 is a 600V IGBT with high speed power switching and built in fast recovery diode in one package.
- 150°C Junction temperature
- Low collector to emitter saturation voltage
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching
Aplikácie
Power Management
Technické údaje
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
201.6W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Technické dokumenty (3)
Súvisiace produkty
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00614