Vytlačiť stránku
G2R1000MT17J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaGENESIC
Výrobcovo č. položkyG2R1000MT17J
Objednávací kód3598650
SortimentG2R Series
Karta technických údajov
73 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 6,140 € |
| 5+ | 5,820 € |
| 10+ | 5,500 € |
| 50+ | 5,270 € |
| 100+ | 4,920 € |
| 250+ | 4,710 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
6,14 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaGENESIC
Výrobcovo č. položkyG2R1000MT17J
Objednávací kód3598650
SortimentG2R Series
Karta technických údajov
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1.45ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation44W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
G2R1000MT17J is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Technické údaje
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
1.45ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
44W
Product Range
G2R Series
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001393