Vytlačiť stránku
STH2N120K5-2AG
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 1.5 A, 7.25 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTH2N120K5-2AG
Objednávací kód3527138RL
SortimentMDmesh K5
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Štandardná dodacia lehota výrobcu: Počet týždňov: 17
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1000+ | 1,950 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1000
Viacero: 1000
1 955,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTH2N120K5-2AG
Objednávací kód3527138RL
SortimentMDmesh K5
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id1.5A
On Resistance Rds(on)7.25ohm
Drain Source On State Resistance7.25ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Prehľad produktu
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
7.25ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Drain Source On State Resistance
7.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00138
Sledovateľnosť produktu