Vytlačiť stránku
IXGA30N60C3C1
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-263, 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXGA30N60C3C1
Objednávací kód1829729
Karta technických údajov
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXGA30N60C3C1
Objednávací kód1829729
Karta technických údajov
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation220W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Prehľad produktu
The IXGA30N60C3C1 is a GenX3™ high-speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 40 to 100kHz switching applications.
- Square RBSOA
- Anti-parallel Schottky diode
- High power density
- Low gate drive requirement
Aplikácie
Power Management, Motor Drive & Control, Maintenance & Repair, Lighting
Technické údaje
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
220W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.003