Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT46H16M32LFB5-5 IT:C
Objednávací kód3530757
Karta technických údajov
4 908 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
Množstvo | |
---|---|
1+ | 4,470 € |
10+ | 3,770 € |
25+ | 3,680 € |
50+ | 3,580 € |
100+ | 3,470 € |
250+ | 3,400 € |
500+ | 3,330 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
4,47 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT46H16M32LFB5-5 IT:C
Objednávací kód3530757
Karta technických údajov
DRAM TypeMobile LPDDR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration16M x 32bit
Clock Frequency Max200MHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins90Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
MT46H16M32LFB5-5 IT:C is a mobile LPDDR SDRAM. The 512Mb mobile low-power DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 536,870,912 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. Each of the x16’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 1024 columns by 16 bits. Each of the x32’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 512 columns by 32 bits.
- 1.8/1.8V operating voltage, differential clock inputs (CK and CK#)
- Bidirectional data strobe per byte of data (DQS)
- Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle
- Commands entered on each positive CK edge, clock stop capability
- DQS edge-aligned with data for READs; centre aligned with data for WRITEs
- 4 internal banks for concurrent operation, data masks (DM) for masking write data; one mask per byte
- Programmable burst lengths (BL): 2, 4, 8, or 16, concurrent auto precharge option is supported
- Auto refresh and self refresh modes, 1.8V LVCMOS-compatible inputs
- 200MHz clock rate, 5.0ns access time, 16 Meg x 32 configuration, JEDEC-standard addressing
- 90-ball (8mm x 13mm) VFBGA package, -40°C to +85°C industrial operating temperature range
Technické údaje
DRAM Type
Mobile LPDDR
Memory Configuration
16M x 32bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
200MHz
No. of Pins
90Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Singapore
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Singapore
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001515