Vytlačiť stránku
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
Objednávací kód4050871
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Štandardná dodacia lehota výrobcu: Počet týždňov: 41
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 168,630 € |
| 5+ | 160,180 € |
| 10+ | 150,400 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
168,63 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT53E1G64D4HJ-046 AIT:C
Objednávací kód4050871
Karta technických údajov
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration1G x 64bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins556Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C is a LPDDR4 SDRAM. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA 12.4 x 12.4 x 1.1mm (Ø0.24 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40, clock-stop capability
- Operating temperature range is –40°C to +95°C, automotive certified, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Technické údaje
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1G x 64bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
556Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000001
Sledovateľnosť produktu