Vytlačiť stránku
FGB7N60UNDF
IGBT, 14 A, 1.9 V, 83 W, 600 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyFGB7N60UNDF
Objednávací kód3615751
Karta technických údajov
Continuous Collector Current14A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation83W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technické údaje
Continuous Collector Current
14A
Power Dissipation
83W
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Nie
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Nie
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.1