Vytlačiť stránku
NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 3000 µohm, 10 V, 4 V
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNXV08V080DB1
Objednávací kód3617527
Vaše číslo dielu
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Štandardná dodacia lehota výrobcu: Počet týždňov: 13
| Množstvo | |
|---|---|
| 44+ | 17,470 € |
Cena za:Tube of 1
Minimum: 44
Viacero: 44
768,68 € (bez DPH)
poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNXV08V080DB1
Objednávací kód3617527
Karta technických údajov
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance3000µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technické údaje
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.1
Sledovateľnosť produktu