Vytlačiť stránku
STGD5NB120SZ-1
IGBT, 10 A, 1.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-251, 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTGD5NB120SZ-1
Objednávací kód2807162
SortimentPowerMESH
Karta technických údajov
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTGD5NB120SZ-1
Objednávací kód2807162
SortimentPowerMESH
Karta technických údajov
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation75W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-251
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangePowerMESH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technické údaje
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
Transistor Case Style
TO-251
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0023
Sledovateľnosť produktu