Vytlačiť stránku
SI4204DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
9 419 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,450 € |
| 10+ | 1,130 € |
| 100+ | 0,909 € |
| 500+ | 0,768 € |
| 1000+ | 0,722 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,45 € (bez DPH)
poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaVISHAY
Výrobcovo č. položkySI4204DY-T1-GE3
Objednávací kód2335306
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel19.8A
Continuous Drain Current Id P Channel19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel3800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3800µohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.25W
Power Dissipation P Channel3.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The SI4204DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and notebook PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Aplikácie
Industrial, Power Management
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
3800µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
3800µohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.004536
Sledovateľnosť produktu