Vytlačiť stránku
IRF9530NPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF9530NPBF
Objednávací kód8648603
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001570634
Karta technických údajov
5 397 Na Sklade
6 000 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,120 € |
| 10+ | 0,610 € |
| 100+ | 0,568 € |
| 500+ | 0,468 € |
| 1000+ | 0,430 € |
| 5000+ | 0,364 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,12 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRF9530NPBF
Objednávací kód8648603
SortimentHEXFET Series
Známy ako ajSP001570634
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The IRF9530NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 200mohm
- Power dissipation Pd of 79W at 25°C
- Continuous drain current Id of -14A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.002041
Sledovateľnosť produktu