Vytlačiť stránku
IRFB3207PBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRFB3207PBF
Objednávací kód9052070
Známy ako ajSP001572410
Karta technických údajov
253 Na Sklade
Potrebujete viac?
.
.
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 2,470 € |
| 10+ | 1,840 € |
| 100+ | 1,600 € |
| 500+ | 1,470 € |
| 1000+ | 1,330 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
2,47 € (bez DPH)
poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkyIRFB3207PBF
Objednávací kód9052070
Známy ako ajSP001572410
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The IRFB3207PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Fast switching
Aplikácie
Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Alternatívy pre IRFB3207PBF
Počet nájdených produktov: 1
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Philippines
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00195
Sledovateľnosť produktu