Vytlačiť stránku
SPP80P06PHXKSA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkySPP80P06PHXKSA1
Objednávací kód2432734
Známy ako ajSPP80P06P H, SP000441774
Karta technických údajov
1 477 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 3,490 € |
| 10+ | 2,600 € |
| 100+ | 2,010 € |
| 500+ | 1,590 € |
| 1000+ | 1,520 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
3,49 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaINFINEON
Výrobcovo č. položkySPP80P06PHXKSA1
Objednávací kód2432734
Známy ako ajSPP80P06P H, SP000441774
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The SPP80P06P H is a SIPMOS® P-channel enhancement mode Power Transistor. This transistor consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
- ±20V Gate-source voltage
- Avalanche rated
- Halogen-free
Aplikácie
Power Management, Automotive, Consumer Electronics
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.023ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000907
Sledovateľnosť produktu