Vytlačiť stránku
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 48 Gbit, 1.5G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT53E1536M32D4DE-046 WT:C
Objednávací kód4263246
Karta technických údajov
13 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 103,980 € |
| 5+ | 90,990 € |
| 10+ | 75,390 € |
| 25+ | 67,590 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
103,98 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaMICRON
Výrobcovo č. položkyMT53E1536M32D4DE-046 WT:C
Objednávací kód4263246
Karta technických údajov
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density48Gbit
Memory Configuration1.5G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The 12Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- Operating voltage is 1.10V VDD2/0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ, 468ps cycle time
- 6GB (48Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- Operating temperature range from -25°C to +85°C, 200-ball TFBGA package
Technické údaje
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
1.5G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
48Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Taiwan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000001