Vytlačiť stránku
GA100XCP12-227
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaGENESIC
Výrobcovo č. položkyGA100XCP12-227
Objednávací kód1862695
Karta technických údajov
Continuous Collector Current100A
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
IGBT TerminationScrew
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
Technické údaje
Continuous Collector Current
100A
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
SOT-227
No. of Pins
3Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Screw
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.029