Vytlačiť stránku
BSS123WQ-7-F
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
8 060 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,277 € |
| 50+ | 0,166 € |
| 100+ | 0,0701 € |
| 500+ | 0,0681 € |
| 1500+ | 0,0667 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
1,39 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyBSS123WQ-7-F
Objednávací kód3127243
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Prehľad produktu
BSS123WQ-7-F is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include small servo motor controls, power MOSFET gate drivers, switching applications.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- High drain-source voltage rating, AEC-Q101 qualified, PPAP capable
- Drain-source voltage is 100V at TA=+25°C
- Continuous gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current is 680mA at TA=+25°C
- Total power dissipation is 200mW at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 6ohm max at VGS=10V, ID=0.17A, TA=+25°C
- SOT323 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre BSS123WQ-7-F
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000005
Sledovateľnosť produktu