Vytlačiť stránku
DMG1012T-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
1 099 429 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,162 € |
| 10+ | 0,133 € |
| 100+ | 0,131 € |
| 500+ | 0,0984 € |
| 1000+ | 0,0719 € |
| 5000+ | 0,0605 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
0,81 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMG1012T-7
Objednávací kód2543524
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation280mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
DMG1012T-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 0.63A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.28W at TA = +25°C
- SOT523 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre DMG1012T-7
Našlo sa 2 produktov
Súvisiace produkty
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000053
Sledovateľnosť produktu