Vytlačiť stránku
DMG1012UW
Power MOSFET, Enhancement Mode, N Channel, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
193 775 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 500+ | 0,0453 € |
| 1000+ | 0,0399 € |
| 5000+ | 0,0352 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 500
Viacero: 5
27,65 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMG1012UW
Objednávací kód2061403RL
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
The DMG1012UW is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- ESD protected up to 2KV
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplikácie
Power Management, Automotive, Aerospace, Defence, Military
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre DMG1012UW
Našlo sa 2 produktov
Súvisiace produkty
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000454