Vytlačiť stránku
DMN2028USS-13
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 9.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
980 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 0,338 € |
| 500+ | 0,262 € |
| 1000+ | 0,233 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
38,80 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMN2028USS-13
Objednávací kód1863719RL
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.56W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The DMN2028USS-13 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It has been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low output leakage
- ESD Protected up to 2KV
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Aplikácie
Power Management, Aerospace, Defence, Military, Automotive, Portable Devices
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.56W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000074