Vytlačiť stránku
DMP6023LE-13
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
5 691 Na Sklade
2 500 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 1,040 € |
| 50+ | 0,754 € |
| 100+ | 0,457 € |
| 500+ | 0,372 € |
| 1000+ | 0,342 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
5,20 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMP6023LE-13
Objednávací kód3127372
Karta technických údajov
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id18.2A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation17.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
DMP6023LE-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low on-resistance, fast switching speed, low threshold
- Low gate drive, low input capacitance
- Drain-source voltage is -60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -7A at TA = +25°C, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -50A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 28mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- SOT223 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technické údaje
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
17.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00185
Sledovateľnosť produktu