Vytlačiť stránku
DMT10H009SK3-13
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMT10H009SK3-13
Objednávací kód3405206RL
Karta technických údajov
1 196 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 1,010 € |
| 500+ | 0,945 € |
| 1000+ | 0,857 € |
| 5000+ | 0,621 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
106,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaDIODES INC.
Výrobcovo č. položkyDMT10H009SK3-13
Objednávací kód3405206RL
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source On State Resistance0.0069ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
DMT10H009SK3-13 is a 100V N-channel enhancement mode MOSFET in a TO252 package. It features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- ±20V gate-source voltage
- 9.1mohm at VGS = 10V maximum RDS(on)
- 91A Id maximum Tc=+25°C
- Low RDS(ON) – minimizes power losses
- Low Qg –minimizes switching losses
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%)
- Operating temperature range from -55 to +150°C
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0002
Sledovateľnosť produktu