Vytlačiť stránku
G3R60MT07K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaGENESIC
Výrobcovo č. položkyG3R60MT07K
Objednávací kód4218049
SortimentG3R Series
Karta technických údajov
200 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 9,830 € |
| 5+ | 9,260 € |
| 10+ | 8,680 € |
| 50+ | 8,180 € |
| 100+ | 7,990 € |
| 250+ | 7,790 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
9,83 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaGENESIC
Výrobcovo č. položkyG3R60MT07K
Objednávací kód4218049
SortimentG3R Series
Karta technických údajov
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation127W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
G3R60MT07K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET in a 4 pin TO-247 package. Typical applications include solar (PV) inverters, server & telecom power supplies, Uninterruptible Power Supplies (UPS), EV / HEV charging, DC-DC converters, Switched Mode Power Supplies (SMPS), energy storage and battery charging and Class D amplifiers.
- G3R™ Technology for enhanced performance and reliability
- Softer RDS(ON) v/s temperature dependency for stable operation
- LoRing™ – Electromagnetically optimized design for reduced EMI
- Smaller RG(INT) and lower Qg for efficient switching
- Low device capacitances for faster response
- Superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR
- 100% avalanche (UIL) tested
- Low conduction losses at all temperatures, reduced ringing
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
Technické údaje
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
127W
Product Range
G3R Series
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Switzerland
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Switzerland
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0062