Vytlačiť stránku
DE150-501N04A
RF FET Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS RF
Výrobcovo č. položkyDE150-501N04A
Objednávací kód1347730
Karta technických údajov
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4.5A
Power Dissipation200W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max100MHz
Transistor Case StyleDE-150
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Prehľad produktu
The DE150-501N04A is a N-channel enhancement mode RF Power MOSFET with isolated substrate for excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling. Low gate charge and capacitances easier to drive and no beryllium oxide or other hazardous materials.
- Low Qg and Rg
- High dv/dt rating
- Nanosecond switching
Aplikácie
RF Communications
Technické údaje
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
200W
Operating Frequency Max
100MHz
No. of Pins
6Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
4.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
DE-150
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Technické dokumenty (3)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:United States
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.002