Vytlačiť stránku
IXFK48N50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXFK48N50
Objednávací kód9359176
Karta technických údajov
85 Na Sklade
600 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 23,610 € |
| 5+ | 21,740 € |
| 10+ | 19,880 € |
| 50+ | 18,010 € |
| 100+ | 16,140 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
23,61 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXFK48N50
Objednávací kód9359176
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation500W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The IXFK48N50 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Aplikácie
Power Management, Lighting
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.013608
Sledovateľnosť produktu