Vytlačiť stránku
IXFK48N60P
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXFK48N60P
Objednávací kód1427312
Karta technických údajov
1 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 16,690 € |
| 5+ | 15,580 € |
| 10+ | 14,470 € |
| 50+ | 13,370 € |
| 100+ | 12,260 € |
| 250+ | 11,150 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
16,69 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXFK48N60P
Objednávací kód1427312
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation830W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
The IXFK48N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Aplikácie
Industrial, Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.01
Sledovateľnosť produktu