Vytlačiť stránku
IXTK140N20P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXTK140N20P
Objednávací kód1427359
Karta technických údajov
242 Na Sklade
75 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 14,210 € |
| 5+ | 11,600 € |
| 10+ | 8,980 € |
| 50+ | 8,960 € |
| 100+ | 8,940 € |
| 250+ | 8,920 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
14,21 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXTK140N20P
Objednávací kód1427359
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation800W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
The IXTK140N20P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
Aplikácie
Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
800W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.01
Sledovateľnosť produktu