Vytlačiť stránku
IXTK200N10P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXTK200N10P
Objednávací kód1427361
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 12,890 € |
| 5+ | 12,130 € |
| 10+ | 11,360 € |
| 50+ | 10,600 € |
| 100+ | 9,830 € |
| 250+ | 9,070 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
12,89 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyIXTK200N10P
Objednávací kód1427361
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation800W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
The IXTK200N10P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers low reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Avalanche rating
- Easy to mount
- Space saving
Aplikácie
Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
800W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.01
Sledovateľnosť produktu