Vytlačiť stránku
MII100-12A3
IGBT Module, Dual, 135 A, 2.2 V, 560 W, 125 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyMII100-12A3
Objednávací kód2429723
Karta technických údajov
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaIXYS SEMICONDUCTOR
Výrobcovo č. položkyMII100-12A3
Objednávací kód2429723
Karta technických údajov
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current135A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Continuous Collector Current135A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation Pd560W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Power Dissipation560W
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Prehľad produktu
The MII100-12A3 is a NPT IGBT Module features low saturation voltage, low switching losses and positive temperature coefficient for easy paralleling. It is suitable for welding equipment, pumps, fans, inductive heating and cookers.
- Up to 30kHz Switching frequency
- Square RBSOA, no latch up
- High short-circuit capability
- Positive temperature coefficient for easy paralleling
- MOS input, voltage controlled
- Ultrafast free-wheeling diodes
Aplikácie
Motor Drive & Control, Alternative Energy, Medical, Power Management, HVAC, Maintenance & Repair, Consumer Electronics
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
DC Collector Current
135A
Continuous Collector Current
135A
Power Dissipation Pd
560W
Power Dissipation
560W
Junction Temperature Tj Max
125°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technické dokumenty (3)
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Germany
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.11
Sledovateľnosť produktu