Vytlačiť stránku
AFT20S015GNR1
RF FET Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaNXP
Výrobcovo č. položkyAFT20S015GNR1
Objednávací kód2890592RL
SortimentAFT20S015GN
Karta technických údajov
201 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 10+ | 23,890 € |
| 50+ | 21,970 € |
| 100+ | 21,530 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Viacero: 1
243,90 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaNXP
Výrobcovo č. položkyAFT20S015GNR1
Objednávací kód2890592RL
SortimentAFT20S015GN
Karta technických údajov
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation11W
Operating Frequency Min1.805GHz
Operating Frequency Max2.7GHz
Transistor Case StyleTO-270G
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Technické údaje
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
11W
Operating Frequency Max
2.7GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.805GHz
Transistor Case Style
TO-270G
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0003
Sledovateľnosť produktu