Vytlačiť stránku
BC846BDW1T1G
Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyBC846BDW1T1G
Objednávací kód2317636
SortimentBCxxx Series
Karta technických údajov
66 356 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 5+ | 0,199 € |
| 50+ | 0,109 € |
| 100+ | 0,0724 € |
| 500+ | 0,0525 € |
| 1500+ | 0,0407 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Viacero: 5
1,00 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyBC846BDW1T1G
Objednávací kód2317636
SortimentBCxxx Series
Karta technických údajov
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN65V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product RangeBCxxx Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
- Halogen-free
Aplikácie
Audio, Power Management
Technické údaje
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
65V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
BCxxx Series
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre BC846BDW1T1G
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000006
Sledovateľnosť produktu