Vytlačiť stránku
BSP52T1G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
3 419 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 50+ | 0,331 € |
| 250+ | 0,253 € |
| 1000+ | 0,156 € |
| 3000+ | 0,137 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 5
38,10 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyBSP52T1G
Objednávací kód2317579RL
Karta technických údajov
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1A
Power Dissipation800mW
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
The BSP52T1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Aplikácie
Industrial, Power Management, Automotive
Technické údaje
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
800mW
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
DC Collector Current
1A
RF Transistor Case
SOT-223
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre BSP52T1G
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00012
Sledovateľnosť produktu