Vytlačiť stránku
BUB323ZT4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
1 224 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,500 € |
| 1000+ | 1,190 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 5
166,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyBUB323ZT4G
Objednávací kód1653614RL
Karta technických údajov
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Collector Emitter Voltage Max350V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current10A
Power Dissipation150W
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
DC Current Gain hFE Min500hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
Aplikácie
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Technické údaje
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
350V
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
Continuous Collector Current
10A
DC Collector Current
10A
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001911
Sledovateľnosť produktu