Vytlačiť stránku
FDMQ8205
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 57 V, 57 V, 0.035 ohm
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyFDMQ8205
Objednávací kód3253686
SortimentGreenBridge 2 Series
Karta technických údajov
2 870 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 5,760 € |
| 10+ | 4,050 € |
| 100+ | 3,010 € |
| 500+ | 2,590 € |
| 1000+ | 2,550 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
5,76 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyFDMQ8205
Objednávací kód3253686
SortimentGreenBridge 2 Series
Karta technických údajov
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel57V
Drain Source Voltage Vds P Channel57V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.035ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeGreenBridge 2 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
57V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.035ohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
GreenBridge 2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
57V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Thailand
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Thailand
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0004
Sledovateľnosť produktu