Vytlačiť stránku
FQD18N20V2TM
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
9 000 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 0,782 € |
| 500+ | 0,648 € |
| 1000+ | 0,593 € |
| 5000+ | 0,563 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 5
83,20 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyFQD18N20V2TM
Objednávací kód1095052RL
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The FQD18N20V2 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 20nC Typical low gate charge
- 25pF typical low Crss
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre FQD18N20V2TM
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000289
Sledovateľnosť produktu