Vytlačiť stránku
NTHL060N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNTHL060N090SC1
Objednávací kód3367856
SortimentEliteSiC Series
Karta technických údajov
609 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 10,160 € |
| 5+ | 9,870 € |
| 10+ | 9,580 € |
| 50+ | 7,010 € |
| 100+ | 6,840 € |
| 250+ | 6,660 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
10,16 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNTHL060N090SC1
Objednávací kód3367856
SortimentEliteSiC Series
Karta technických údajov
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Prehľad produktu
NTHL060N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are UPS, DC to DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 113pF)
- Typical RDS(on)= 60mohm at VGS = 15V
- Ultra low gate charge (typical QG(tot)= 87nC)
- Drain-to-source voltage is 900V at TJ = 25°C
- Gate-to-source voltage is +22/-8V at TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO-247-3LD package
Technické údaje
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
Technické dokumenty (2)
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.002
Sledovateľnosť produktu