Vytlačiť stránku
NXH100B120H3Q0PTG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNXH100B120H3Q0PTG
Objednávací kód3265489
SortimentNXH100B120H3Q0
Karta technických údajov
K dispozícii na objednanie
Štandardná dodacia lehota výrobcu: Počet týždňov: 14
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 63,290 € |
| 5+ | 56,180 € |
| 10+ | 49,060 € |
| 50+ | 48,080 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
63,29 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNXH100B120H3Q0PTG
Objednávací kód3265489
SortimentNXH100B120H3Q0
Karta technických údajov
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Power Dissipation Pd186W
Power Dissipation186W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
Prehľad produktu
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation
186W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0001
Sledovateľnosť produktu