Vytlačiť stránku
NGTB05N60R2DT4G
IGBT, 16 A, 1.65 V, 56 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaONSEMI
Výrobcovo č. položkyNGTB05N60R2DT4G
Objednávací kód2492865
Karta technických údajov
Continuous Collector Current16A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation56W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Technické údaje
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
56W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Malaysia
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001828