Vytlačiť stránku
QH8KA3TCR
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
1 751 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 0,631 € |
| 500+ | 0,465 € |
| 1000+ | 0,421 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
68,10 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaROHM
Výrobcovo č. položkyQH8KA3TCR
Objednávací kód3287306RL
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id9A
Continuous Drain Current Id N Channel9A
Continuous Drain Current Id P Channel9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0123ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0123ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.6W
Power Dissipation P Channel2.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Prehľad produktu
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
9A
Continuous Drain Current Id P Channel
9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0123ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0123ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
2.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00567
Sledovateľnosť produktu