Vytlačiť stránku
R6035ENZC8
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 35 A, 0.102 ohm, TO-3PF, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaROHM
Výrobcovo č. položkyR6035ENZC8
Objednávací kód2630120
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00001