Vytlačiť stránku
RD3N07BBHTL1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 105 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
K dispozícii na objednanie
Upozornite ma, keď bude produkt na sklade
| Množstvo | |
|---|---|
| 100+ | 1,560 € |
| 500+ | 1,530 € |
| 1000+ | 1,500 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Viacero: 1
161,00 € (bez DPH)
Tento produkt bude previnutý a bude Vám zaúčtovaná suma za previnutie 5,00 €
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaROHM
Výrobcovo č. položkyRD3N07BBHTL1
Objednávací kód4633497RL
Karta technických údajov
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance4400µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Technické údaje
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
105A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Technické dokumenty (1)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Japan
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00001
Sledovateľnosť produktu