Vytlačiť stránku
SKM150GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
47 Na Sklade
32 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 128,260 € |
| 5+ | 120,890 € |
| 10+ | 113,050 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
128,26 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSEMIKRON
Výrobcovo č. položkySKM150GB12T4
Objednávací kód2423687
Karta technických údajov
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current232A
Continuous Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prehľad produktu
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Aplikácie
Power Management, Maintenance & Repair
Technické údaje
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre SKM150GB12T4
Našlo sa 4 produktov
Súvisiace produkty
Našlo sa 4 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Slovak Republic
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Slovak Republic
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.18
Sledovateľnosť produktu