Vytlačiť stránku
SKM200GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
7 Na Sklade
12 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 204,830 € |
| 5+ | 193,070 € |
| 10+ | 180,540 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
204,83 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSEMIKRON
Výrobcovo č. položkySKM200GB12E4
Objednávací kód2423693
Karta technických údajov
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Prehľad produktu
The SKM200GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Aplikácie
Power Management
Technické údaje
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Technické dokumenty (1)
Alternatívy pre SKM200GB12E4
Našlo sa 6 produktov
Súvisiace produkty
Našlo sa 3 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Slovak Republic
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Slovak Republic
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.18
Sledovateľnosť produktu