Vytlačiť stránku
GD100HFU120C8S
IGBT Module, Half Bridge, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
Už sa nevyrába
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTARPOWER
Výrobcovo č. položkyGD100HFU120C8S
Objednávací kód3912069
Karta technických údajov
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current154A
DC Collector Current154A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.9V
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation791W
Power Dissipation Pd791W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Technické údaje
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
154A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Power Dissipation Pd
791W
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
154A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.9V
Power Dissipation
791W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.2