Vytlačiť stránku
STD18N55M5
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTD18N55M5
Objednávací kód2098164
Karta technických údajov
42 Na Sklade
2 500 Teraz si môžete rezervovať tovar na sklade.
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 3,630 € |
| 10+ | 2,470 € |
| 100+ | 1,750 € |
| 500+ | 1,530 € |
| 1000+ | 1,490 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
3,63 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTD18N55M5
Objednávací kód2098164
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The STD18N55M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology with PowerMESH™ horizontal layout structure. The device has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Aplikácie
Power Management, Industrial
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre STD18N55M5
Počet nájdených produktov: 1
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.000467
Sledovateľnosť produktu