Vytlačiť stránku
STD4NK60ZT4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTD4NK60ZT4
Objednávací kód1291961
Karta technických údajov
4 308 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,360 € |
| 10+ | 0,978 € |
| 100+ | 0,781 € |
| 500+ | 0,702 € |
| 1000+ | 0,644 € |
| 5000+ | 0,576 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
1,36 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTD4NK60ZT4
Objednávací kód1291961
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Prehľad produktu
The STD4NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Very low intrinsic capacitance
Aplikácie
Industrial, Power Management
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre STD4NK60ZT4
Našlo sa 4 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00031