Vytlačiť stránku
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTGB10NC60HDT4
Objednávací kód1542216
Karta technických údajov
Už nie je na sklade
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTGB10NC60HDT4
Objednávací kód1542216
Karta technických údajov
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation65W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Prehľad produktu
The STGB10NC60HDT4 is a Very Fast IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
Aplikácie
Motor Drive & Control, Power Management
Technické údaje
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Technické dokumenty (2)
Súvisiace produkty
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.00143