Vytlačiť stránku
STH3N150-2
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTH3N150-2
Objednávací kód2629758
SortimentPowerMESH
Karta technických údajov
41 834 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 4,540 € |
| 10+ | 3,390 € |
| 100+ | 2,540 € |
| 500+ | 2,280 € |
| 1000+ | 2,140 € |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Viacero: 1
4,54 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTH3N150-2
Objednávací kód2629758
SortimentPowerMESH
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerMESH
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin H2PAK-2 package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerMESH
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001623
Sledovateľnosť produktu