Vytlačiť stránku
STP12NM50
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTP12NM50
Objednávací kód1291980
SortimentSTP
Karta technických údajov
1 986 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 4,390 € |
| 10+ | 2,510 € |
| 100+ | 2,480 € |
| 500+ | 2,470 € |
| 1000+ | 1,950 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
4,39 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTP12NM50
Objednávací kód1291980
SortimentSTP
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
Prehľad produktu
The STP12NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
- Tight process control and high manufacturing yields
Aplikácie
Industrial
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Alternatívy pre STP12NM50
Našlo sa 2 produktov
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Morocco
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:Morocco
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Y-Ex
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.001814
Sledovateľnosť produktu