Vytlačiť stránku
STS5NF60L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 5 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTS5NF60L
Objednávací kód1752188
Karta technických údajov
2 376 Na Sklade
Potrebujete viac?
RÝCHLE doručenie do 1 – 2 pracovných dní
Objednajte si do 17:00
BEZPLATNÉ štandardné doručenie
doručenie pre objednávky za min. 0,00 €
Presný čas doručenia sa vypočíta pri pokladni
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 1,260 € |
| 10+ | 0,795 € |
| 100+ | 0,526 € |
| 500+ | 0,500 € |
| 1000+ | 0,474 € |
| 5000+ | 0,448 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
1,26 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTS5NF60L
Objednávací kód1752188
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Prehľad produktu
The STS5NF60L is a STripFET™ N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
- Low threshold drive
Aplikácie
Power Management, Industrial
Upozornenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Áno
RoHS
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Áno
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.0002
Sledovateľnosť produktu