Vytlačiť stránku
STW13NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Through Hole
Obrázok slúži len na ilustračné účely. Prosím, pozrite si popis produktu.
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTW13NK100Z
Objednávací kód1468006
SortimentSTW
Karta technických údajov
1 857 Na Sklade
Potrebujete viac?
Doručenie do 1 – 3 pracovných dní
Štandardné doručenie pri objednávke do 17:00
| Množstvo | |
|---|---|
| 1+ | 8,310 € |
| 5+ | 7,490 € |
| 10+ | 6,660 € |
| 50+ | 5,840 € |
| 100+ | 5,720 € |
| 250+ | 5,610 € |
Cena za:Each
Minimum: 1
Viacero: 1
8,31 € (bez DPH)
Pridať katalógové číslo /poznámku riadka
Pridané k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre a dodaciemu listu iba pre túto objednávku.
Toto číslo sa pridá k vášmu potvrdeniu objednávky, faktúre, dodaciemu listu, webovému potvrdzovaciemu e-mailu a štítku produktu.
INFORMÁCIE O PRODUKTE
VýrobcaSTMICROELECTRONICS
Výrobcovo č. položkySTW13NK100Z
Objednávací kód1468006
SortimentSTW
Karta technických údajov
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation350W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Prehľad produktu
The STW13NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
Aplikácie
Industrial, Power Management
Technické údaje
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
350W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislatíva a životné prostredie
Krajina pôvodu:
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predajaKrajina pôvodu:China
Krajina, v ktorej boli vykonané posledné úpravy pred uvedením do predaja
Č. tarifu:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
V súlade s normou RoHS:Nie
V súlade s požiadavkami smernice RoHS týkajúcimi sa ftalátov:Bude oznámené
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prevziať certifikát zhody produktu
Certifikát zhody produktu
Hmotnosť (kg):.004309
Sledovateľnosť produktu